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Understanding the Origin of the Low Performance of Chemically Grown Silicon Nanowires for Solar Energy Conversion

Schwer auf Draht: Die elektrochemische Impedanzspektroskopie (ESI) zeigt, dass bei durch stromloses Ätzen erhaltenen vertikal ausgerichteten Si‐Nanodrähten hohe Energieumwandlungseffizienzen erhältlich sind (siehe Bild). Der Hauptgrund für die geringe Leistung chemisch gezogener Si‐Nanodrähte sind die aus dem chemischen Wachstum resultierenden Midgap‐Zustände der Drähte.

Autoren:   Yuan, Guangbi; Aruda, Kenneth; Zhou, Sa; Levine, Andrew; Xie, Jin; Wang, Dunwei
Journal:   Angewandte Chemie
Band:   123
Ausgabe:   10
Jahrgang:   2011
Seiten:   2382
DOI:   10.1002/ange.201006617
Erscheinungsdatum:   01.03.2011
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