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Gestrecktes Silicium



Gestrecktes Silicium (engl. strained silicon) besteht aus einer Silicium-Germanium-Schicht (SiGe), auf die eine dünne Silicium-Schicht aufgetragen wird. Dadurch dass die SiGe-Schicht eine Kristallstruktur mit einer höheren Gitterkonstante, d. h. mit größeren Abständen zwischen den einzelnen Atomen, besitzt, wird an der Kontaktstelle der SiGe- und der Si-Schichten das Kristallgitter des Silicium etwas auseinandergezogen, so dass auch die Abstände zwischen den Si-Atomen größer werden.

Durch die größeren Abstände zwischen den Atomen wird die elektrische Leitfähigkeit bzw. die Ladungsträgerbeweglichkeit erhöht. Das wiederum führt zum schnelleren Transit der Elektronen durch die Silicium-Schicht und erlaubt so eine schnellere Schaltgeschwindigkeit des Transistors und dadurch auch eine schnellere Taktung des Prozessors.

 
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