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1 Aktuelle News von Fraunhofer-Institut IISB
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Werkstoff mit Potenzial: Durch Löcher wachsen
26.05.2010
Siliziumkarbid ist ein kommendes Halbleitermaterial. In einer Diplomarbeit wurden die Qualität der Kristalle und der Epitaxieschichten genauer analysiert. Eine andere Arbeit kombiniert die Vorteile von Dünnschichtsolarzellen mit Rückseitenkontakten. Siliziumkarbid (SiC) ist das ideale ...
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