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21 Aktuelle News von Fraunhofer-Institut IISB

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Effiziente Solarzellen: Georg-Kurlbaum-Preis 2011 für Nachwuchs-wissenschaftler vom Fraunhofer IISB

07.12.2011

Für seine am Fraunhofer IISB in Erlangen durchgeführte Diplomarbeit zum Defekthaushalt in kristallinem Solar-Silizium ist der Nachwuchswissenschaftler Ludwig Stockmeier mit dem Georg-Kurlbaum-Preis 2011 ausgezeichnet worden. Durch seine Forschungsergebnisse lassen sich mit einem preiswerten ...

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Heute noch zehnmal teurer als Gold – Zukünftig kostengünstigere Herstellung von GaN-Kristallen

18.10.2011

Kristallines Galliumnitrid gilt als Halbleitermaterial der Zukunft. Leider ist der Wunderwerkstoff zurzeit noch extrem teuer. Das Fraunhofer Technologiezentrum Halbleitermaterialien THM und die Freiberger Compound Materials GmbH forschen mit finanzieller Unterstützung des Sächsischen ...

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Verbundprojekt „SolarWinS“ lotet das Wirkungsgrad-Potenzial multikristalliner Silicium-Solarzellen aus

24 Partner aus Forschung und Industrie erkunden zukünftige Entwicklung der Silicium-Photovoltaik

19.05.2011

Mehr als vier von zehn Solarzellen, welche heute zum Einsatz kommen, bestehen aus multikristallinem Silicium. Dieses ist vergleichsweise preiswert, jedoch lassen sich mit der gegenwärtig in der Industrie eingesetzten Technik nur etwa 17% der einfallenden Sonnenstrahlung in elektrische Leistung ...

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SolarWorld Junior Einstein-Award geht ans Fraunhofer IISB

Perfektes Silicium für die Photovoltaik

09.09.2010

Der diesjährige SolarWorld Junior Einstein-Award geht an Dr. Christian Reimann vom Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB in Erlangen. Der Mineraloge entwickelte ein Verfahren zur Erhöhung der Materialqualität gerichtet erstarrter Siliciumblöcke – dem ...

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Werkstoff mit Potenzial: Durch Löcher wachsen

26.05.2010

Siliziumkarbid ist ein kommendes Halbleitermaterial. In einer Diplomarbeit wurden die Qualität der Kristalle und der Epitaxieschichten genauer analysiert. Eine andere Arbeit kombiniert die Vorteile von Dünnschichtsolarzellen mit Rückseitenkontakten. Siliziumkarbid (SiC) ist das ideale ...

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Spatenstich für Erweiterungsbau des Fraunhofer IISB

05.05.2010

Am 3. Mai 2010 wurde am Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB in Erlangen mit dem ersten Spatenstich symbolisch der Baubeginn für den Erweiterungsbau des Instituts gefeiert. Mikro- und Nanoelektronik, Materialentwicklung für die Elektronik, ...

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Akkreditiertes Analytik-Labor für die Mikro- und Nanotechnologie am Fraunhofer IISB

05.02.2010

Das Analytik-Labor für Mikro- und Nanotechnologie am Erlanger Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB wurde durch die Deutsche Gesellschaft für Akkreditierung nach DIN EN ISO/IEC 17025:2005 akkreditiert. Das Prüflabor in Erlangen führt Tests im Bereich ...

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Intelligente Batterien auf der Überholspur - Fraunhofer baut Elektromobilitätsforschung in Nürnberg aus

03.02.2010

Mit der Schaffung einer neuen Arbeitsgruppe baut das Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB in Erlangen und Nürnberg seine Forschungskapazität im Bereich elektrischer Energiespeichersysteme aus. Keine andere Komponente wird in künftigen Elektrofahrzeugen mehr ...

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Perfekte Halbleitermaterialien für die Industrie – Fraunhofer THM auf Wachstumskurs

27.01.2010

Mit Beginn des neuen Jahres geht der Aufbau am Fraunhofer Technologiezentrum Halbleitermaterialien (THM) in Freiberg in die nächste Phase. Mit dem Bewilligungsbescheid über insgesamt 9,9 Mio. Euro gaben das Bundesministerium für Bildung und Forschung und die Sächsische Aufbaubank im Auftrag des ...

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Auf dem Weg zu billigerem Solarstrom

Innovationspreis Mikroelektronik geht an Fraunhofer IISB und SolarWorld AG

19.10.2009

Gemeinsam haben Forscher des Fraunhofer IISB Erlangen, des Fraunhofer THM Freiberg und der SolarWorld AG herausgefunden, wie sie durch den Einsatz von Magnetfeldern bei der industriellen Produktion von Siliziumkristallen für die Photovoltaik spezielle Materialfehler vermeiden können. Diese ...

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