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Gestrecktes Silicium



Gestrecktes Silicium (engl. strained silicon) besteht aus einer Silicium-Germanium-Schicht (SiGe), auf die eine dünne Silicium-Schicht aufgetragen wird. Dadurch dass die SiGe-Schicht eine Kristallstruktur mit einer höheren Gitterkonstante, d. h. mit größeren Abständen zwischen den einzelnen Atomen, besitzt, wird an der Kontaktstelle der SiGe- und der Si-Schichten das Kristallgitter des Silicium etwas auseinandergezogen, so dass auch die Abstände zwischen den Si-Atomen größer werden.

Weiteres empfehlenswertes Fachwissen

Durch die größeren Abstände zwischen den Atomen wird die elektrische Leitfähigkeit bzw. die Ladungsträgerbeweglichkeit erhöht. Das wiederum führt zum schnelleren Transit der Elektronen durch die Silicium-Schicht und erlaubt so eine schnellere Schaltgeschwindigkeit des Transistors und dadurch auch eine schnellere Taktung des Prozessors.

 
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