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Rapid Thermal Annealing



Rapid Thermal Annealing (RTA) ist eine Verfahrensweise aus der Herstellung von Halbleitern, um einzelne Wafer durch Erhitzung in ihren elektrischen Eigenschaften zu verändern.

Weiteres empfehlenswertes Fachwissen

RTA wird insbesondere verwendet, um die Kristallstruktur des Substrates nach der Ionenimplantation auszuheilen und somit elektrisch zu aktivieren.

Siehe auch: Rapid Thermal Processing

 
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