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Rapid Thermal AnnealingRapid Thermal Annealing (RTA) ist eine Verfahrensweise aus der Herstellung von Halbleitern, um einzelne Wafer durch Erhitzung in ihren elektrischen Eigenschaften zu verändern. Produkt-HighlightRTA wird insbesondere verwendet, um die Kristallstruktur des Substrates nach der Ionenimplantation auszuheilen und somit elektrisch zu aktivieren. Siehe auch: Rapid Thermal Processing Kategorien: Halbleitertechnologie | Kristallographie |
| Dieser Artikel basiert auf dem Artikel Rapid_Thermal_Annealing aus der freien Enzyklopädie Wikipedia und steht unter der GNU-Lizenz für freie Dokumentation. In der Wikipedia ist eine Liste der Autoren verfügbar. |
