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Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition



  Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD) oder üblicherweise auch als Plasma Assisted Chemical Vapour Deposition (PACVD) bezeichnet, ist ein Begriff für eine Sonderform der chemical vapor deposition (CVD), bei der die Abscheidung von dünnen Schichten durch chemische Reaktion wie beim CVD-Verfahren erfolgt. Zusätzlich wird der Prozess durch ein Plasma unterstützt. Dazu wird zwischen dem zu beschichtenden Substrat und einer Gegenelektrode ein starkes elektrisches Feld angelegt, durch das ein Plasma gezündet wird. Das Plasma bewirkt ein Aufbrechen der Bindungen des Reaktionsgases und zersetzt es in Radikale, die sich auf dem Substrat niederschlagen und dort die chemische Abscheidereaktion bewirken. Dadurch kann eine höhere Abscheiderate bei geringerer Abscheidetemperatur als mit CVD erreicht werden.

Mit PECVD lassen sich amorphes Silicium, Siliciumnitride, Siliciumoxide und Silicium-Oxid-Nitrid-Filme und vieles mehr abscheiden (z.B. Kohlenstoffnanoröhren).

 
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