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Siliziumgermanium



Siliziumgermanium (SiGe) ist ein IV-IV-Verbindungshalbleiter. Durch die Verwandtschaft mit der Silizium-Technologie lassen sich viele Verfahren übertragen. Für die Herstellung werden konventionelle Silizium-Wafer verwendet, die ähnlich wie gestrecktes Silizium um eine SiGe-Schicht erweitert werden. Meist wird zusätzlich Kohlenstoff im Bereich der Basis eingebracht, weswegen die SiGe-Technologie häufig auch als SiGe:C bezeichnet wird. Die Transistoren werden als Heterojunction Bipolartransistoren (HBT) realisiert. Das Haupteinsatzgebiet ist die Hochfrequenz-Elektronik und schnelle Logikschaltungen.

Neueste Entwicklungen von IBM und insbesondere Infineon zeigen bereits Grenzfrequenzen um 250 GHz. Forschungen an der Ruhr-Universität Bochum aus dem Jahre 2003 von Prof. Rein haben den Weg des SiGe für den Hochfrequenzbereich bei 77 GHz geebnet, indem auf diesem Prozess Schaltungen entwickelt wurden, die das Potenzial des SiGe-Prozesses voll ausnutzen konnten.

Das prädestiniert den Einsatz von SiGe im Bereich von KFZ-Radars bei 77 GHz zur Frequenzerzeugung sowie auch zur Signalkonvertierung. Neben SiGe als Basismaterial für Hochfrequenzanwendungen um 77 GHz ist noch GaAs zu nennen, das jedoch im aktuellen Technologiestand (2006) nicht an die Grenzfrequenz von SiGe herankommt.

Da mit GaAs im Gegensatz zu SiGe auch Leistungsstufen möglich sind, kann es interessant sein, bei GaAs zu bleiben, solange dieses Material die benötigte Frequenz noch beherrscht.

 
Dieser Artikel basiert auf dem Artikel Siliziumgermanium aus der freien Enzyklopädie Wikipedia und steht unter der GNU-Lizenz für freie Dokumentation. In der Wikipedia ist eine Liste der Autoren verfügbar.
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