Antidiffusionsspannung

Die Antidiffusionsspannung ist eine Spannung, die einer weiteren Rekombination von Ladungsträgern entgegenwirkt. Die Antidiffusionsspannung kommt hauptsächlich in Dioden vor.

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Betrachtet wird eine Halbleiterdiode mit einem p-n-Übergang: An der Grenze zwischen p- und n- dotiertem Halbleiter kommt es zur Diffusion, d.h. freie Elektronen aus dem n-Leiter wandern zum p-Leiter, um dort zu rekombinieren. (Analog wandern die Löcher (Defektelektronen) vom p- zum n-Leiter.) Grund dieser Diffusion ist das Erreichen eines energetisch günstigeren Zustandes durch die Rekombination. Durch die Rekombination wird der p-Leiter negativ geladen un der n-Leiter positiv geladen. Es baut sich also eine Raumladung und damit die Diffusionsspannung auf, die verhindert, dass weitere Elektronen in den p-Leiter wandern (diffundieren) und umgekehrt. (Daher der Name Antidiffusionsspannung)

Materialien

Häufig verwendete Materialien sind Silizium und Germanium. Bei Silizium beträgt sie 0,7 V, bei Germanium 0,3 V.