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Extrem ultraviolette Strahlung



Extrem Ultraviolette Strahlung (XUV) bezeichnet den Spektralbereich zwischen ca. 1 nm bis 50 nm. Dies entspricht Photonenenergien zwischen ca. 20 eV und 1200 eV. XUV bezeichnet daher den Bereich elektromagnetischer Strahlung zwischen Vakuum-Ultraviolett (VUV-Strahlung) und Röntgenstrahlung.

Der gesamte Spektralbereich der Extrem ultravioletten Strahlung wird üblicherweise mit "XUV" abgekürzt. Für zwei Teilbereiche des XUV haben sich spezielle Bezeichnungen durchgesetzt:

weiche Röntgenstrahlung

Der Spektralbereich zwischen 2,4 und 4,4 nm, das sogenannte Wasserfenster, ist besonders für Röntgenmikroskopie interessant und wird deshalb auch als "weiche Röntgenstrahlung" bezeichnet.

EUV-Strahlung

EUV-Strahlung ist die Abkürzung für den Teil-Spektralbereich der XUV (engl. Extreme Ultra Violet), der für die geplante EUV-Lithografie nutzbar ist. EUV bezeichnet den Bereich um die international zwischen den F&E-Beteiligten vereinbarte Zentralwellenlänge von 13,5 nm. Für die Lithographie kann üblicherweise nur eine Bandbreite von ca. 2 % genutzt werden. Die Abkürzung wird aber auch häufig für den Bereich zwischen der Silizium-L-Kante (ca. 12,4 nm) bis hin zu ca. 20 nm verwendet.

Die Halbleiterindustrie plant, ab ca. 2009 Chips mit EUV-Strahlung herzustellen (siehe EUV-Lithographie).

EUV-Strahlung bietet aufgrund der kurzen Wellenlänge und der starken Wechselwirkung mit Materie das Potential der Analyse und Strukturerzeugung mit Nanometer-Auflösung und typisch mehrerer hundert Nanometer Eindringtiefe.

 
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