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Indiumphosphid



Strukturformel
Keine Strukturformel vorhanden
Allgemeines
Name Indiumphosphid
Andere Namen

Indium(III)-phosphid

Summenformel InP
CAS-Nummer 22398-80-7
Kurzbeschreibung schwarze kubische Kristalle (Zinkblende Kristallstruktur)
Eigenschaften
Molare Masse 145,792 g·mol–1
Aggregatzustand fest
Dichte 4,79 g·cm–3[1]
Schmelzpunkt 1070 °C[1]
Löslichkeit

unlöslich in Wasser

Sicherheitshinweise
Gefahrstoffkennzeichnung
keine Gefahrensymbole
[1]
R- und S-Sätze R: 33[1]
S: 24/25[1]
MAK

aufgehoben, da cancerogen[2]

Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen.

Indiumphosphid ist eine Halbleiterverbindung aus der Gruppe der binären III-V-Verbindungshalbleiter, die in der Hochfrequenztechnik (wobei Frequenzen bis zu 150 GHz angestrebt werden) und bei Hochleistungselektronik eingesetzt wird. Grund für diese Einsatzbereiche ist die gegenüber Silicium sehr hohe Beweglichkeit der Elektronen im Gitter. Indiumphosphid besitzt eine direkte Bandlücke, wodurch die Verbindung auch für Laserdioden, LEDs, Detektoren und andere elektrooptische Anwendungen geeignet ist. Weiterhin eignet sich Indiumphosphid als Basismaterial für photonische Kristalle.

Sicherheitshinweise

Indiumphosphid ist krebserregend[3].

Siehe auch

  • Gunndiode

Quellen

  1. a b c d e Sicherheitsdatenblatt (alfa-aesar)
  2. Eintrag zu Indiumphosphid in der GESTIS-Stoffdatenbank des BGIA, abgerufen am 23.8.2007 (JavaScript erforderlich)
  3. Vorschläge für die Erweiterung der MAK-Liste
 
Dieser Artikel basiert auf dem Artikel Indiumphosphid aus der freien Enzyklopädie Wikipedia und steht unter der GNU-Lizenz für freie Dokumentation. In der Wikipedia ist eine Liste der Autoren verfügbar.
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