17.11.2020 - Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf e. V.

Bipolar gedopt

Neuer Ansatz erlaubt, die Leitfähigkeit von Halbleitern umkehrbar zu steuern

Der Metalloxid-Halbleiter Galliumoxid gilt unter anderem als aussichtsreicher Kandidat für einen möglichen Einsatz in der Leistungselektronik. Dem standen bisher Schwierigkeiten im Wege, die vor allem die gezielte Beeinflussung der elektrischen Leitfähigkeit des Materials behinderten. In einer in der Fachzeitschrift Scientific Reports publizierten Arbeit demonstriert ein Forschungsteam unter Beteiligung des Helmholtz-Zentrums Dresden-Rossendorf (HZDR) nun, wie sich die Leitfähigkeit von Galliumoxid in seiner stabilsten Form (β-Ga2O3) über einen kontrollierten Einbau von Wasserstoff in das Kristallgitter des Halbleitermaterials steuern lässt.

Ausgangspunkt der Überlegungen der Forscher aus Bowling Green (Ohio), Dresden, Berkeley und Los Alamos war eine besonders auffällige Eigenschaft des Materials: die Breite seiner Bandlücke. Sie ist ein Maß für den energetischen Abstand zwischen Valenz- und dem Leitungsband eines Festkörpers. Bei Halbleitern ist bei sehr tiefen Temperaturen zunächst nur das Valenzband mit Ladungsträgern besetzt, das Material ist nichtleitend. Durch Energiezufuhr können sie jedoch in das Leitungsband überführt werden und einen Stromfluss ermöglichen. 

„Die Bandlücke von Galliumoxid gilt unter Experten als ultrabreit“, erläutert Dr. Andreas Wagner, Leiter der Abteilung Kernphysik am HZDR und Koautor der Studie: „Sie macht das Material besonders attraktiv für die Leistungselektronik, denn sie verspricht Anwendungen in Bereichen hoher elektrischer Feldstärken, bei denen heute etablierte Halbleitermaterialien unweigerlich zerstört würden.“ Doch die Sache hat einen Haken: Mit zunehmender Bandlückenenergie nimmt die Effizienz gängiger Dotierungsverfahren ab.

Sanfte Dotierung

Fremdatome werden in Halbleiter eingebracht, um zusätzliche Ladungsträger in seinem Leitungsband freizusetzen. Sind es Elektronen, sprechen Wissenschaftler von n-oder negativ-Dotierung - sind es sogenannte Löcher, von p-oder positiv-Dotierung. Dieser Vorgang führt dann zur n- beziehungsweise p-Leitung. Der Einbau von Fremdatomen fügt jedoch neue Energieniveaus in die Bandlücke ein, die die Bandstruktur des Materials beeinflussen und die elektronischen Eigenschaften des Halbleiters in hohem Maße verändern können. Anders bei einer Dotierung mit Wasserstoff: Die elektronischen Eigenschaften des ursprünglichen Halbleiters bleiben nahezu unbeeinflusst – lediglich die Ladungsträger-Konzentration wird erhöht.

Mit seinen Forschungsergebnissen zeigt das Team eine neue Möglichkeit auf, Galliumoxid als Ausgangsmaterial für bipolare Transistoren zu etablieren. In diesen klassischen Halbleiterbauelementen werden n- und p-dotierte Schichten so kombiniert, dass mit Hilfe eines kleinen Steuerstroms ein größerer Stromfluss kontrolliert werden kann. Sie finden Anwendung in Verstärkern und Schaltern. Um die beiden Schichten zu erzeugen, werden typischerweise zwei unterschiedliche Materialien kombiniert. Der Clou der vorgestellten Arbeit: Die Wissenschaftler können das per Wasserstoff-Einbau in einem einzigen Material bewerkstelligen.

Stellschraube Wasserstoff

Die Forscher lagern dazu den Wasserstoff in das Kristallgitter des Galliumoxids ein. Quantenchemische Berechnungen haben gezeigt, dass die Wasserstoffmoleküle an der Galliumoxid-Oberfläche zunächst in elektrisch geladene Wasserstoff-Fragmente zerfallen, die an der Oberfläche adsorbieren. Bei hohen Temperaturen diffundieren sie in den Kristall und besetzen vorhandene Störstellen. Das sind Orte im Kristallgitter, an denen eigentlich Gallium-oder Sauerstoffionen des Halbleitermaterials anzutreffen sein sollten. Diese fehlen: Die stattdessen vorhandenen Lücken sind je nach Natur der fehlenden Bausteine elektrisch positiv oder negativ geladen und deshalb für die ebenfalls geladenen Wasserstoff-Fragmente interessant.

„Wir konnten zeigen, dass sich so nicht nur das Ausmaß der Leitfähigkeit, sondern auch ihre Natur selbst verändern lässt. Mit nur wenig eingebautem Wasserstoff verhält sich das Material wie ein p-dotierter Halbleiter, während die Zugabe von mehr Wasserstoff zum Umschalten in den n-Leitungsmodus führt“, fasst Andreas Wagner die Forschungsergebnisse zusammen.

Die Wissenschaftler versprechen sich nun unter anderem eine drastische Verringerung von Energieverbrauch und Herstellungskosten bei der Fertigung von Bauelementen für die Leistungs- und Optoelektronik. Das Hauptproblem auf dem Weg dorthin war bisher, Galliumoxid neben der n- auch zur p-Leitung zu bewegen – dieses Zwischenziel haben die Forscher mit ihrer Wasserstoff-Technik nun erreicht.

Fakten, Hintergründe, Dossiers
Mehr über HZDR
  • News

    Wissenschaftler schaffen dreidimensionale Nanostrukturen mit Ionenstrahlen

    Effekte an Grenzflächen zwischen magnetischen und nicht-magnetischen Schichten werden bereits seit drei Jahrzehnten für die Datenspeicherung ausgenutzt, was zu einer stetigen Steigerung der Speicherkapazitäten von Festplatten geführt hat. Auch deshalb sehen Forscher in ihnen das Potential, ... mehr

    Dynamisch und doch träge – aber definitiv futuristisch

    Ein internationales Team von Wissenschaftlern aus Deutschland, Italien, Schweden und Frankreich berichtet in der Fachzeitschrift Nature Physics von der experimentellen Beobachtung eines zwar zuvor bereits vorhergesagten, bislang allerdings nur schwer nachweisbaren Trägheitseffekts von Elekt ... mehr

    Topografie der Extreme

    Einem internationalen Team von Wissenschaftlern des Helmholtz-Zentrums Dresden-Rossendorf (HZDR), des Max-Planck-Instituts für Chemische Physik fester Stoffe sowie Kollegen aus den USA und der Schweiz ist es gelungen, verschiedene extreme Versuchsbedingungen in bisher einzigartiger Weise mi ... mehr

  • Forschungsinstitute

    Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf e. V.

    Das Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR) forscht auf den Gebieten Energie, Gesundheit und Materie. Folgende Fragestellungen stehen hierbei im Fokus: • Wie nutzt man Energie und Ressourcen effizient, sicher und nachhaltig? • Wie können Krebserkrankungen besse ... mehr