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Indium



Eigenschaften
Allgemein
Name, Symbol, Ordnungszahl Indium, In, 49
Serie Metalle
Gruppe, Periode, Block 13, 5, p
Aussehen silbrig glänzend grau
Massenanteil an der Erdhülle 1 · 10−5 %
Atomar
Atommasse 114,818 u
Atomradius (berechnet) 155 (156) pm
Kovalenter Radius 144 pm
Van-der-Waals-Radius 193 pm
Elektronenkonfiguration [Kr] 4d105s25p1
Elektronen pro Energieniveau 2, 8, 18, 18, 3
1. Ionisierungsenergie 558,3 kJ/mol
2. Ionisierungsenergie 1820,7 kJ/mol
3. Ionisierungsenergie 2704 kJ/mol
Physikalisch
Aggregatzustand fest
Modifikationen eine
Kristallstruktur tetragonal
Dichte 7,31 g/cm3
Mohshärte 1,2
Magnetismus paramagnetisch
Schmelzpunkt 429,7485[1] K (156,5985 °C)
Siedepunkt 2345 K (2072 °C)
Molares Volumen 15,76 · 10−6 m3/mol
Verdampfungswärme 231,8[2] kJ/mol
Schmelzwärme 3,26 kJ/mol
Dampfdruck

1 Pa bei 1196[3] K

Schallgeschwindigkeit 1215 m/s bei 293,15 K
Spezifische Wärmekapazität 233 J/(kg · K)
Elektrische Leitfähigkeit 12,5 · 106 S/m
Wärmeleitfähigkeit 81,6 W/(m · K)
Chemisch
Oxidationszustände 3, 1
Oxide (Basizität) (amphoter)
Normalpotential −0,343 V (In3+ + 3e → In)
Elektronegativität 1,78 (Pauling-Skala)
Isotope
Isotop NH t1/2 ZM ZE MeV ZP
113In

4,3 %

Stabil
114In

{syn.}

71,9 s β 1,989 114Sn
ε 1,452 114Cd
115In

95,7 %

4,41 · 1014 a β 0,495 115Sn
NMR-Eigenschaften
  Spin γ in
rad·T−1·s−1
E fL bei
B = 4,7 T
in MHz
113In 9/2 5,8845 · 107 0,0151 21,87
115In 9/2 5.8972 · 107 0,271 38,86
Sicherheitshinweise
Gefahrstoffkennzeichnung
Pulver
[4]
R- und S-Sätze R: 11[4]
S: 9-16-29-33[4]
Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet.
Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen.

Indium ist ein chemisches Element mit dem Symbol In und der Ordnungszahl 49. Im Periodensystem der Elemente steht es in der 5. Periode und ist das vierte Element der 3. Hauptgruppe (nach neuer Zählung Gruppe 13) oder Borgruppe. Indium ist ein seltenes, silberweißes und weiches Metall. Es gilt als eines der ersten Elemente, dessen natürliche Vorkommen vollständig erschöpft sein werden.[5] Indium ist für den Menschen nicht essentiell, genauso wenig sind toxische Effekte bekannt[6]. Das Metall wird zum größten Teil zu Indiumzinnoxid verarbeitet, das in Flachbildschirmen und Touchscreens eingesetzt wird.

Inhaltsverzeichnis

Geschichte

Indium wurde 1863 von den deutschen Chemikern Ferdinand Reich und Theodor Richter an der Bergakademie Freiberg entdeckt. Sie untersuchten eine in der Umgebung gefundene Sphalerit-Probe nach Thallium. Dabei fanden sie im Absorptionsspektrum anstatt der erwarteten Thallium-Linien eine bisher unbekannte indigoblaue Spektrallinie und damit ein bisher unbekanntes Element. Nach dieser erhielt das neue Element später seinen Namen. Kurze Zeit später konnten sie zunächst Indiumchlorid und -oxid, durch Reduktion von Indiumoxid mit Wasserstoff auch das Metall darstellen. Eine größere Menge Indium wurde erstmals auf der Weltausstellung 1867 in Paris gezeigt.[7]

Nach einer ersten Anwendung ab 1933 als Legierungsbestandteil in Zahngold begann der umfangreiche Einsatz von Indium mit dem Zweiten Weltkrieg. Die Vereinigten Staaten setzten es als Beschichtung in hoch beanspruchten Lagern von Flugzeugen ein. Nach dem Zweiten Weltkrieg wurde Indium vor allem in der Elektronikindustie, als Lötmaterial und in niedrig schmelzenden Legierungen eingesetzt. Auch die Verwendung in Kontrollstäben von Kernreaktoren wurde mit der zunehmenden Verwendung der Kernenergie wichtig. Dies führte bis 1980 zu einem ersten starken Ansteigen des Indiumpreises. Nach dem Reaktorunfall von Three Miles Island gingen jedoch sowohl Nachfrage als auch Preis deutlich zurück.[8]

Ab 1987 wurden zwei neue Indiumverbindungen, der Halbleiter Indiumphosphid und das in dünnen Schichten leitende und durchsichtige Indiumzinnoxid entwickelt. Besonders Indiumzinnoxid wurde mit der Entwicklung von Flüssigkristallbildschirmen technisch interessant. Durch den hohen Bedarf wird seit 1992 der größte Teil des Indiums zu Indiumzinnoxid weiterverarbeitet.[8]

Vorkommen

Indium ist ein seltenes Element, sein Anteil an der kontinentalen Erdkruste beträgt nur 0,05 ppm[9]. Es ist damit von ähnlicher Häufigkeit wie Silber und Quecksilber. In gediegenem Zustand wurde Indium bisher nur in einem Einzelfund im östlichen Sibirien gefunden.[10] Es sind nur wenige Indium-Minerale bekannt. Dies sind vor allem sulfidische Minerale wie Indit FeIn2S4 und Roquésit CuInS2[11]. Diese sind jedoch selten und spielen für die Gewinnung von Indium keine Rolle. Die größten Vorkommen von Indium liegen in Zinkerzen, insbesondere Sphalerit. Die theoretischen Reserven werden auf 6000 Tonnen geschätzt, wirtschaftlich abbaubar sind davon nur 2800 Tonnen[12]. Die größten Vorkommen liegen in Kanada und China. Indiumhaltige Erze werden aber auch in Australien, Bolivien, Brasilien, Japan, Russland, Südafrika, den USA und einigen europäischen Ländern gefunden. In Deutschland liegen Fundstellen im Erzgebirge (Freiberg, Marienberg) und am Rammelsberg im Harz.[7]

Gewinnung und Darstellung

  Indium wird fast ausschließlich als Nebenprodukt bei der Produktion von Zink oder Blei gewonnen. Eine wirtschaftliche Gewinnung ist möglich, wenn sich an bestimmten Stellen des Produktionsprozesses Indium anreichert. Dies sind etwa Flugstäube, die während des Röstens von Zinksulfid entstehen und Rückstände, die bei der Elektrolyse während des nassen Verfahrens der Zinkherstellung zurückbleiben.[13] Diese werden mit Schwefelsäure oder Salzsäure umgesetzt und so in Lösung gebracht. Da die Konzentration an Indium in der Säure zu gering ist, muss sie angereichert werden. Dies geschieht etwa durch Extraktion mit Tributylphosphat oder Fällung als Indiumphosphat.

Die eigentliche Indiumgewinnung erfolgt elektrolytisch. Dazu wird eine Lösung von Indium(III)-chlorid in Salzsäure verwendet. Dieses wird mit Hilfe von Quecksilberelektroden zu elementarem Indium umgesetzt. Bei der Elektrolyse ist darauf zu achten, dass die Lösung kein Thallium mehr enthält, da die Standardpotentiale der beiden Elemente sehr ähnlich sind[13].

\mathrm{In^{3+} + 3\ e^- \ \xrightarrow{Hg-Elektr.} \ In}

Durch geeignete Verfahren wie Zonenschmelzverfahren[14] oder mehrmalige Elektrolyse von Indium(I)-chlorid-Salzschmelzen[13] kann das Rohprodukt weiter gereinigt werden und so über 99,99 % reines Indium gewonnen werden.

Produktion

Die Produktion von Indium lag im Jahr 2005 bei 500 Tonnen[12]. Auf Grund der geringen natürlichen Vorräte bei gleichzeitig hoher Nachfrage zählt Indium zu den knappsten Rohstoffen auf der Erde. Mit einem Versiegen der Ressourcen wird auf Basis von Extrapolationen bei gleichbleibendem Verbrauch und gleichzeitig keinen größeren Neuentdeckungen von Lagerstätten noch vor dem Jahr 2015 gerechnet.[5]

Produktionsländer (2005)[12]
Land Tonnen % der Weltproduktion
Volksrepublik China 300 60
Japan 70 14
Kanada 50 10
Belgien 30 6
Russland 15 3
Deutschland 10 2
Frankreich 10 2
Peru 6 1,2
andere 10 1,8
gesamt (gerundet) 500 100

  Die Indiumproduktion in China findet erst seit kurzer Zeit verstärkt statt. Im Jahr 1994 lag die produzierte Menge noch bei 10 Tonnen[15]. Seitdem vergrößerte sich der Anteil Chinas an der Weltproduktion auf 60 % im Jahr 2005. Die Produktion in anderen Ländern wie Japan, Kanada oder Frankreich konnte nur in geringem Umfang gesteigert werden oder verringerte sich durch Erschöpfung der Lagerstätten. So wurde 2006 die japanische Toyoha-Mine geschlossen und damit die dortige Produktion deutlich verringert.[5]

Da die Nachfrage nach Indium stärker als die Produktion gestiegen ist, ergab sich ein starker Anstieg des Indiumpreises von 97 Dollar 2002 auf 827 Dollar pro Kilogramm im Jahr 2005[12]. Recycling von Indium wird auf Grund des niedrigen Indiumgehaltes vieler Legierungen und Produkte nur in geringem Umfang durchgeführt. Das einzige Land, in dem in größeren Mengen Indium wiedergewonnen wird, ist Japan.[5]

Indium kann zwar in den meisten Anwendungen durch andere Stoffe ersetzt werden, dabei verschlechtern sich jedoch häufig die Eigenschaften des Produktes oder die Wirtschaftlichkeit der Produktion. So kann etwa Indiumphosphid durch Galliumarsenid ersetzt werden und auch für Indiumzinnoxid sind einige – wenn auch qualitativ schlechtere – Ersatzstoffe möglich.[12]

Eigenschaften

Physikalische Eigenschaften

Kristallographische Daten[16]
Kristallsystem tetragonal
Raumgruppe I4/mmm \;
Gitterparameter
(Elementarzelle)
a = (b) = 325 pm
c = 495 pm
Zahl (Z) der
Formeleinheiten
Z = 2

   

Indium ist ein silbrig-weißes Metall mit einem niedrigem Schmelzpunkt von 156,5985 °C[1]. Einen niedrigeren Schmelzpunkt besitzen unter den Metallen nur Quecksilber, Gallium und die meisten Alkalimetalle. Über einen sehr großen Bereich von fast 2000 °C ist das Metall flüssig. Flüssiges Indium hinterlässt auf Glas dauerhaft einen dünnen Film (Benetzung). Die gleiche Eigenschaft besitzt das ähnliche Gallium.

Das Metall besitzt eine hohe Duktilität und sehr geringe Härte (Mohs-Härte: 1,2[14]). Es ist daher möglich, Indium wie Natrium mit dem Messer zu schneiden. Gleichzeitig hinterlässt es auf Papier einen sichtbaren Strich. Unterhalb einer Sprungtemperatur von 3,41 Kelvin ist Indium supraleitend.[17] Eine Besonderheit des Indiums, die es mit dem Zinn gemeinsam hat, sind die charakteristischen Geräusche, die beim Verbiegen von Indium zu hören sind („Zinngeschrei“).

Von Indium ist bei Normalbedingungen nur eine kristalline Modifikation bekannt, die im tetragonalen Kristallsystem in der Raumgruppe I4/mmm \; und damit in einem tetragonal-raumzentrierten Gitter mit den Gitterparametern a = 325 pm und c = 495 pm sowie zwei Formeleinheiten in der Elementarzelle kristallisiert.

Ein Indiumatom wird in der Kristallstruktur von zwölf weiteren Atomen umgeben, wobei vier aus den benachbarten Elementarzellen stammen und einen geringeren Abstand (325 pm; rote Bindungen) als die acht auf den Ecken der Elementarzelle befindlichen Atome aufweisen (337 pm; grüne Bindungen). Als Koordinationspolyeder ergibt sich durch die Koordinationszahl 4 + 8 = 12 ein verzerrtes Kuboktaeder. Die Kristallstruktur kann daher als eine tetragonal verzerrte, kubisch-dichteste Kugelpackung beschrieben werden.

In Hochdruckexperimenten wurde eine weitere Modifikation entdeckt, die oberhalb von 45 GPa stabil ist und im orthorhombischen Kristallsystem in der Raumgruppe Fmmm kristallisiert.[18]

Chemische Eigenschaften

Die chemischen Eigenschaften des Indium ähneln denen der Gruppennachbarn Gallium und Thallium. So ist Indium wie die beiden anderen Elemente ein unedles Element, das bei hohen Temperaturen mit vielen Nichtmetallen reagieren kann. An der Luft ist es bei Raumtemperatur stabil, da sich wie bei Aluminium eine dichte Oxidschicht bildet, die das Material durch Passivierung vor weiterer Oxidation schützt. Erst bei hohen Temperaturen findet die Reaktion zu Indium(III)-oxid statt.

Während Indium von Mineralsäuren wie Salpetersäure oder Schwefelsäure angegriffen wird, ist es nicht löslich in heißem Wasser, Basen und den meisten organischen Säuren. Auch Salzwasser greift Indium nicht an. Indium ist bei Raumtemperatur das in Quecksilber am besten lösliche Metall[13].

Isotope

Von Indium sind 38 verschiedene Isotope und weitere 45 Kernisomere von 97In bis 135In bekannt.[19] In der Natur kommen davon nur zwei Isotope vor, 113In (64 Neutronen) mit 4,295 % und 115In (66 Neutronen) mit 95,715 %[19] Anteil an der natürlichen Isotopenverteilung. Das häufige Isotop 115In ist schwach radioaktiv, es ist ein Betastrahler mit einer Halbwertszeit von 4,41 · 1014 Jahren. Beide natürlichen Isotope können mit Hilfe der NMR-Spektroskopie nachgewiesen werden. Die stabilsten künstlichen Isotope 111In und 114mIn haben Halbwertszeiten von einigen Tagen. Davon dient 111In als Tracer in verschiedenen nuklearmedizinischen Untersuchungsverfahren.

Siehe auch: Liste der Indium-Isotope

Verwendung

Metall

  Indium ist vielseitig verwendbar, sein Einsatz ist jedoch durch die Seltenheit und den hohen Preis beschränkt. Der größte Teil des produzierten Indiums wird nicht als Metall eingesetzt, sondern zu einer Reihe von Verbindungen weiterverarbeitet. Allein für die Produktion von Indiumzinnoxid wurden im Jahr 2000 65 %[7] der Gesamtproduktion an Indium verwendet. Auch andere Verbindungen, wie Indiumphosphid und Indiumarsenid werden aus dem produzierten Indium gewonnen. Genaueres über die Verwendung von Indiumverbindungen findet sich im Abschnitt Verbindungen.

Metallische Werkstücke können durch galvanisch abgeschiedenene Indiumüberzüge geschützt werden. So beschichtete Werkstoffe etwa aus Stahl, Blei oder Cadmium sind danach beständiger gegen Korrosion durch organische Säuren oder Salzlösungen und vor allem Abrieb. Indiumschutzschichten wurden früher oft für Gleitlager in Automobilen oder Flugzeugen verwendet. Seit dem deutlichen Anstieg des Indiumpreises ist dies jedoch nicht mehr wirtschaftlich. Mit Indium beschichtete Flächen besitzen einen hohen und gleichmäßigen Reflexionsgrad über alle Farben hinweg und können daher als Spiegel verwendet werden.

Der Schmelzpunkt von Indium liegt relativ niedrig und ist sehr genau bestimmbar. Aus diesem Grund ist er einer der Fixpunkte bei der Aufstellung der Temperaturskala.[1] Diese Eigenschaft wird auch für die Kalibrierung in der Dynamischen Differenzkalorimetrie (DSC) genutzt.[20]

Wegen des hohen Einfangquerschnittes sowohl für langsame, als auch für schnelle Neutronen ist Indium ein geeignetes Material für Steuerstäbe in Kernreaktoren. Auch als Neutronendetektoren können Indiumfolien verwendet werden. Indium ist gasdicht und auch bei tiefen Temperaturen leicht zu verformen, und wird daher in sogenannten Indiumdichtungen in Kryostaten eingesetzt.

Auch als Lot für viele Materialien spielt Indium auf Grund einiger spezieller Eigenschaften eine Rolle. So verformt es sich beim Abkühlen nur in geringem Maß. Dies ist vor allem beim Löten von Halbleitern für Transistoren wichtig. Ebenso spielt eine Rolle, dass Indium in der Lage ist, auch nicht-metallische Stoffe, wie Glas und Keramik zu verlöten.[8]

Legierungen

Indium kann mit vielen Metallen legiert werden. Viele dieser Legierungen, vor allem mit den Metallen Bismut, Zinn, Cadmium und Blei, besitzen einen niedrigen Schmelzpunkt von 50–100 °C[21]. Dadurch ergeben sich Anwendungsmöglichkeiten beispielsweise in Sprinkleranlagen, Thermostaten und Sicherungen. Da das ebenfalls verwendbare Blei giftig ist, dient Indium als ungefährlicher Ersatzstoff. Der Zweck dieser Legierungen liegt darin, dass sie bei zu hohen Umgebungstemperaturen, die durch Feuer oder hohe Stromstärken verursacht werden, schmelzen. Durch das Schmelzen wird dann der Stromkreis unterbrochen oder die Sprinkleranlage ausgelöst. Indium-Gallium-Legierungen besitzen häufig noch niedrigere Schmelzpunkte und sind in Hochtemperaturthermometern enthalten. Eine spezielle Gallium-Indium-Zinn-Legierung ist Galinstan. Diese ist bei Raumtemperatur flüssig und dient als ungefährlicher Ersatzstoff für Quecksilber oder Natrium-Kalium-Legierungen.

Es gibt noch einige weitere indiumhaltige Legierungen, die in unterschiedlichen Gebieten eingesetzt werden. So wird Indium mit Kupfer, Mangan und Magnesium als Legierungsbestandteil von magnetischen Werkstoffen verwendet. Gelegentlich wird Indium (maximal 5 %[22]) mit Silber, Zinn, Kupfer, Quecksilber und Zink als Beimischung in Amalgamfüllungen benutzt. In der Speicherschicht einer CD-RW ist unter anderem Indium enthalten.[23]

Nachweis

Ein möglicher chemischer Nachweis ist das Ausfällen von Indiumionen mit Hilfe von 8-Hydroxychinolin aus essigsaurer Lösung.[24] Normalerweise wird Indium nicht auf chemische Weise nachgewiesen, sondern über geeignete spektroskopische Verfahren. Leicht ist Indium über die charakteristischen Spektrallinien bei 451,14 nm und 410,18 nm nachzuweisen.[7] Da diese im blauen Spektralbereich liegen, ergibt sich die typische blaue Flammenfärbung. Für eine genauere quantitative Bestimmung bieten sich die Röntgenfluoreszenzanalyse und die Massenspektrometrie als Untersuchungsmethode an.

Toxizität und Sicherheit

Während von Indiummetall keine toxischen Effekte bekannt sind, zeigte es sich jedoch, dass Indiumionen im Tierversuch mit Ratten und Kaninchen embryonentoxische und teratogene Effekte besitzen.[25] Bei einer Einmalgabe von 0,4 mg*kg-1 InCl3 an trächtigen Ratten konnten Missbildungen wie beispielsweise Gaumenspalten und Oligodaktylie beobachtet werden. Diese Erscheinungen waren gehäuft festzustellen, wenn das Indium am 10. Schwangerschaftstag appliziert wurde. Bei Mäusen waren dagegen keine Missbildungen zu beoabachten.[26][27][28][29] Bei Indiumnitrat wurde eine Toxizität für Wasserorganismen (aquatische Toxizität) festgestellt.[30]

Kompaktes Indiummetall ist nicht brennbar. Im feinverteilten Zustand als Pulver oder Staub ist es dagegen wie viele Metalle leichtentzündlich und brennbar. Brennendes Indium darf wegen der Explosionsgefahr durch entstehenden Wasserstoff nicht mit Wasser gelöscht werden, sondern muss mit Metallbrandlöschern (Klasse D) gelöscht werden.[4]

Verbindungen

Indium bildet eine Reihe von Verbindungen. In ihnen hat das Metall meist die Oxidationsstufe +III. Die Stufe +I ist seltener und instabiler. Die Oxidationsstufe +II existiert nicht, Verbindungen, in denen formal zweiwertiges Indium vorkommt, sind in Wirklichkeit gemischte Verbindungen aus ein- und dreiwertigem Indium.

Indiumoxide

Indium(III)-oxid ist ein gelbes, stabiles Salz. Reines Indium(III)-oxid wird wenig verwendet, in der Technik wird der größte Teil zu Indiumzinnoxid weiterverarbeitet. Es handelt sich hierbei um Indium(III)-oxid, das mit einer geringen Menge Zinn(IV)-oxid dotiert ist. Dadurch wird die Verbindung zu einem transparenten und leitfähigem Oxid (TCO-Material). Diese Kombination von Eigenschaften, die nur wenige weitere Materialen besitzen, bedingt eine breite Anwendung. Insbesondere als Stromleiter in Flüssigkristallbildschirmen (LCD), organischen Leuchtdioden (OLED), Touchscreens und Solarzellen wird Indiumzinnoxid verwendet. In weiteren Anwendungen wie beheizbaren Autoscheiben und Solarzellen konnte das teure Indiumzinnoxid durch billigeres aluminiumdotiertes Zinkoxid ersetzt werden.[31]

Verbindungshalbleiter

Viele Indiumverbindungen sind Verbindungshalbleiter mit charakteristischen Bandlücken. Dies betrifft insbesondere Verbindungen mit Elementen der 15. und 16. Hauptgruppe, wie Phosphor, Arsen oder Schwefel. Diejenigen mit Elementen der 15. Hauptgruppe werden zu den III-V-Halbleitern gezählt, diejenigen mit Chalkogenen zu den III-VI-Halbleitern. Die Zahl richtet sich jeweils nach der Anzahl an Valenzelektronen in den beiden Verbindungsbestandteilen. Indiumnitrid, Indiumphosphid, Indiumarsenid und Indiumantimonid haben unterschiedliche Anwendungen in verschiedenen Dioden, wie Leuchtdioden (LED), Fotodioden oder Laserdioden. Die genaue Anwendung hängt von der benötigten Bandlücke ab. Indium(III)-sulfid (In2S3) ist ein III-VI-Halbleiter mit einer Bandlücke von 2 eV, der anstelle von Cadmiumsulfid in Solarzellen verwendet wird.[32] Einige dieser Verbindungen – vor allem Indiumphosphid und Indiumarsenid – spielen eine Rolle in der Nanotechnologie. Indiumphosphid-Nanodrähte besitzen eine stark anisotrope Photolumineszenz und können eventuell in hochempfindlichen Photodetektoren oder optischen Schaltern eingesetzt werden.[33]

Neben den einfachen Verbindungshalbleitern gibt es auch halbleitende Verbindungen, die mehr als ein Metall enthalten. Ein Beispiel ist Indiumgalliumarsenid (InGaAs) ein ternärer Halbleiter mit einer im Vergleich zu Galliumarsenid verringerten Bandlücke. Kupferindiumdiselenid (CuInSe2) besitzt einen hohen Absorptionsgrad für Licht und wird daher in Dünnschichtsolarzellen eingesetzt. Diese so genannten CIS-Solarzellen zählen mit einem Wirkungsgrad von über 19 % zu denjenigen mit dem höchsten Wirkungsgrad überhaupt.[34]

Weitere Indiumverbindungen

Mit den Halogenen Fluor, Chlor, Brom und Iod bildet Indium eine Reihe von Verbindungen. Sie sind Lewis-Säuren und bilden mit geeigneten Donoren Komplexe. Ein wichtiges Indiumhalogenid ist Indium(III)-chlorid. Dieses wird unter anderem als Katalysator für die Reduktion organischer Verbindungen eingesetzt.[35]

Es existieren auch organische Indiumverbindungen mit den allgemeinen Formeln InR3 und InR. Sie sind wie viele metallorganische Verbindungen empfindlich gegen Sauerstoff und Wasser. Indiumorganische Verbindungen werden als Dotierungsreagenz bei der Produktion von Halbleitern genutzt.[36]

Einzelnachweise

Die Werte für die Eigenschaften (Infobox) sind, wenn nicht anders angegeben, aus www.webelements.com (Indium) entnommen.

  1. a b c H. Preston-Thomas, The International Temperature Scale of 1990 (ITS-90) in: Metrologia, 1990, 27,3–10
  2. John A. Dean, Norbert A. Lange: Lange’s handbook of chemistry. 15. Aufl. McGraw-Hill, New York, NY 1999, ISBN 0070163847; Section 6, Thermodynamic Properties; Table 6.4.
  3. Kapitel vo D. Stull in: Dwight E. Gray (Hrsg.): American Institute of Physics handbook. 3. Aufl. McGraw-Hill, New York 1972 , ISBN 007001485X
  4. a b c d Eintrag zu Indium–Pulver in der GESTIS-Stoffdatenbank des BGIA, abgerufen am 12.9.2007 (JavaScript erforderlich)
  5. a b c d Die stofflichen Grenzen des Wachstums, Pressespiegel Physik der Uni Augsburg
  6. Arnold F. Holleman; Egon Wiberg; Nils Wiberg: Lehrbuch der anorganischen Chemie. 102. Aufl. de Gruyter, Berlin 2007, ISBN 978-3-11-017770-1.
  7. a b c d Ulrich Schwarz-Schampera; Peter M. Herzig: Indium : Geology, mineralogy, and economics. Springer, Berlin, New York 2002, ISBN 3-540-43135-7.
  8. a b c Mineral Commodity Profile: Indium der usgs mineral resources (engl.)
  9. K. H. Wedepohl: The composition of the continental crust in: Geochimica et Cosmochimica Acta, 1995, 59, 7, 1217-1232.
  10. www.mindat.org/Indium
  11. Mineralienatlas (wiki)/Indium
  12. a b c d e Indium bei usgs mineral resources (2007)
  13. a b c d Wilhelm Morawiez: Herstellung von hochreinem Indium durch Amalgam–Elektrolyse in: Chemie Ingenieur Technik - CIT, 1964, 36, 4.
  14. a b Indium bei Seilnacht.com
  15. Indium bei usgs mineral resources (1996)
  16. J. Graham, A. Moore, G. V. Raynor: The effect of temperature on the lattice spacings of indium. In: Journal of the Institute of Metals, 84, 1954, S. 86-87.
  17. thermische Eigenschaften des Indium bei www.webelements.com
  18. K. Takemura, H. Fujihaza: High-pressure structural phase transtion in indium. In: Physical Review, Serie 3. B - Condensed Matter, 47, 1993, S. 8465-8470.
  19. a b G. Audi, O. Bersillon, J. Blachot, A. H. Wapstra: The NUBASE evaluation of nuclear and decay properties. In: Nuclear Physics. Bd. A 729, 2003, S. 3–128.
  20. Physikalisch-Technische Bundesanstalt: Wärme- und Wärmestromkalibrierung Dynamischer Differenz-Kalorimeter
  21. N. N. Greenwood, A. Earnshaw: Chemie der Elemente. 1. Auflage, VCH Verlagsgesellschaft, 1988, ISBN 3-527-26169-9.
  22. Bundesinstitut für Arzneimittel und Medizinprodukte: Amalgame in der zahnärztlichen Therapie, Januar 2005
  23. CD-RW bei www.asbyon.com/Lexikon
  24. Hans Breuer: dtv-Atlas Chemie 1. Allgemeine und anorganische Chemie.. Dtv, ISBN 3423032170
  25. G. Ungváry, E. Szakmáry, E. Tátrai, A. Hudák, M. Náray ,V. Morvai: Embryotoxic and teratogenic effects of indium chloride in rats and rabbits. In: J. Toxicol. Environ. Health A, 2000, 1, 59, S. 27-42. PMID 11261900
  26. Nakajima M et.al., Comparative developmental toxicity study of indium in rats and mice., in Teratog Carcinog Mutagen., 20/2000, S.219-27. PMID 10910472
  27. Chapin RE et.al., The reproductive and developmental toxicity of indium in the Swiss mouse., in Fundam Appl Toxicol., 27/1995, S.140-8. PMID 7589924
  28. Nakajima M et.al., Developmental toxicity of indium chloride by intravenous or oral administration in rats., in Teratog Carcinog Mutagen., 18/1998, S.231-8. PMID 9876012
  29. Nakajima M et.al., Developmental toxicity of indium in cultured rat embryos., in Teratog Carcinog Mutagen., 19/1999, S.205-9. PMID 10379844
  30. Zurita JL et.al., Toxicological assessment of indium nitrate on aquatic organisms and investigation of the effects on the PLHC-1 fish cell line., in Sci Total Environ., 387/2007, S.155-65. PMID 17804041
  31. Günter Bräuer: Transparent leitfähige Oxide – Eigenschaften, Herstellung und Anwendungsgebiete, Dresden/Braunschweig/Gießen 2005
  32. N. Barreau, S. Marsillac, D. Albertini, J.C. Bernede: Structural, optical and electrical properties of β-In2S3>-3xO3x thin films obtained by PVD. In: Thin Solid Films 403 –404 (2002) 331–334
  33. Jianfang Wang, Mark S. Gudiksen, Xiangfeng Duan, Yi Cui, Charles M. Lieber, Highly Polarized Photoluminescence and Photodetection from Single Indium Phosphide Nanowires in: Science, 2001, 293, 5534, 1455-1457
  34. K. Ramanathan, M. A. Contreras, C. L. Perkins, S. Asher, F. S. Hasoon, J. Keane, D. Young, M. Romero, W. Metzger, R. Noufi, J. Ward and A. Duda: Properties of 19.2 % Efficiency ZnO/CdS/CuInGaSe2 Thin-film Solar Cells. In: Prog. Photovolt. Res. Appl. 11, 225-30 (2003)
  35. Organic Chemistry Portal: Indium als Reduktionsmittel (englisch)
  36. Christoph Elschenbroich: Organometallchemie, 5. Auflage, Teubner, Wiesbaden, 2005, ISBN 3-519-53501-7.

Literatur

  • Ulrich Schwarz-Schampera, Peter M. Herzig: Indium : Geology, mineralogy, and economics. Springer, Berlin, New York 2002, ISBN 3-540-43135-7.
  • Arnold F. Holleman, Egon Wiberg; Nils Wiberg: Lehrbuch der anorganischen Chemie. 102. Auflage, de Gruyter, Berlin 2007, ISBN 978-3-11-017770-1.
  • Norman N. Greenwood, A. Earnshaw: Chemie der Elemente. 1. Aufl. Verlag Chemie, Weinheim 1988 , ISBN 3-527-26169-9.
  • Hans Breuer: dtv-Atlas Chemie 1. Allgemeine und anorganische Chemie. Dtv, ISBN 3-423-03217-0
 
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